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产品名称：维安WMN04N65DM，650V N沟道功率MOSFET规格书
产品型号：WMN04N65DM
代理品牌：Wayon维安
产品封装： TO-220F，TO-262 ，TO-252，TO-251，TO-251S2，TO-251S3
交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情.
发货货仓：深圳/香港/上海/苏州
热门标签：WMN04N65DM规格书，WMN04N65DM原理图
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描述
WMOSTM DM是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
特征
快速切换
典型。 RDS(on) =2.3Ω
低栅极电荷（典型值 Qg = 12.5C）
典型。 Crss = 4.1pF
100% UIS 测试
应用
LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器
Part Package Marking Packing method
WML04N65DM TO-220F WML04N65DM Tube
WMN04N65DM TO-262 WMN04N65DM Tube
WMO04N65DM TO-252 WMO04N65DM Tape and Reel
WMP04N65DM TO-251 WMP04N65DM Tube
WMH04N65DM TO-251S2 WMH04N65DM Tube
WMG04N65DM TO-251S3 WMG04N65DM Tube
