产品名称:台湾松木P沟道 30V(D-S)MOSFET
产品型号:ME2307/ME2307-G
代理品牌:台湾松木
产品封装:SOT-23
交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.
发货货仓:深圳/香港
热门标签:P沟道ME2307-G,松木MEME2307,松木mos
咨询热线:0755-83322522 在线咨询
产品名称:台湾松木P沟道 30V(D-S)MOSFET
产品型号:ME2307/ME2307-G
代理品牌:台湾松木
产品封装:SOT-23
交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.
发货货仓:深圳/香港
热门标签:P沟道ME2307-G,松木MEME2307,松木mos
咨询热线:0755-83322522 在线咨询
ME2307一般说明:
ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用,例如:作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路,在非常小巧的表面贴装封装中,需要较低的在线功率损耗。
ME2307应用领域:
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●DSC
GENERAL DESCRIPTION
The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits
where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● Load Switch
● DSC
ME2307特征:
●RDS(ON)≦70mΩ@ VGS = -10V
●RDS(ON)≦95mΩ@VGS=-4.5V
●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)
FEATURES
● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V
● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)