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基于MOS场效应管的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计
本文的大功率宽频带线性射频放大器是利用MOS场效应管（MOSFET）来设计的，采取AB类推挽式功率放大方式，其工作频段为O 6M～10MHz，输出的脉冲功率为1200W。经调试使用，放大器工作稳定，性能可靠。调试、试验和实用时使用的测试仪器有示渡器、频谱分析仪、功率汁、大功率同轴衰减器、网络分析仪和射频信号发生器。 -
台湾松木ME15N10/ME15N10-G MOS管
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台湾松木P沟道ME2325/ME2325-G MOSFET
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氮化镓黑马元拓高科发布GaNmosfet: 体积小，内阻低，耐压高，散热快
深圳元拓高科作为国内第三代半导体设计公司，集合了国内外十数名资深功率器件资深专家，最新推出专门用于快充充电头的氮化镓Mos管YT65系列。该产品主要针对30W——120W 快充头，体积小，内阻低，耐压高，集成度高，散热快，助力用户轻松设计充电头。 -
冠禹KS1212DAT单N沟道高级功率 MOSFET
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MOS管如何判断是静电击穿还是过流烧毁?
MOS管在工作中可能会发生静电击穿和过流烧毁两种故障，需要进行判断和诊断。下面介绍一下如何判断MOS管是静电击穿还是过流烧毁。1. 静电击... -
松木ME2348A P沟道增强模式MOSFET管
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探索沟道增强型MOS管：超越二极管的半导体奇迹
探索沟道增强型MOS管：超越二极管的半导体奇迹在现代电子技术的浩瀚宇宙中，沟道增强型MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect...
